Ako posúdiť kvalitu komponentov pomocou multimetra
1. Detekcia bežných diód
Zmerajte pomocou multimetra MF47, pripojte červené a čierne sondy k oboma koncami diódy, prečítajte si čítanie a potom vymieňajte sondy za meranie. Na základe výsledkov dvoch meraní je hodnota predného odporu nízkoenergetických germániových diód zvyčajne 300-500 Ω, zatiaľ čo hodnota kremíkových diód je asi 1k Ω alebo vyššia. Reverzná odolnosť germániovej trubice je niekoľko desiatok kiloahmov a spätný odpor kremíkovej trubice je nad 500k Ω (hodnota vysoko výkonnej diódy je oveľa menšia). Dobrá dióda má nízky odpor vpred a vysoký spätný odpor a čím väčší je rozdiel v odporu vpred a spätného odporu, tým lepší. Ak je nameraný odpor vpred a spätný odpor veľmi malý a blízko nuly, naznačuje, že dióda je interne skratovaná; Ak je odporný a spätný odpor veľmi vysoký alebo má tendenciu nekonečno, naznačuje, že vo vnútri trubice je otvorený obvod. V obidvoch prípadoch musí byť dióda vyradená.
Pri testovaní na cestách: Testovanie dopredu a spätného odporu križovatky diódy PN uľahčuje určenie, či dióda zažíva skrat z rozkladu alebo otvorený obvod.
2. Detekcia križovatky PN
Nastavte digitálny multimeter na režim diódy a zmerajte križovatku PN pomocou sondy. Ak vedie v smere vpred, zobrazené číslo je pokles napätia vpred PN križovatke. Najprv určte zberateľské a emitorové elektródy; Zmerajte pokles napätia predného napätia dvoch PN spojov pomocou sondy, kde emitor má vyšší pokles napätia a kolektor má nižší pokles napätia. Pri testovaní dvoch spojov, ak je červená sonda pripojená k bežnému pólu, testovaný tranzistor je typu NPN a červená sonda je pripojená k základni B; Ak je čierna sonda pripojená k spoločnému terminálu, testovaný tranzistor je typu PNP a tento terminál je základom B. Po poškodení tranzistora existujú dve situácie pre križovatku PN: skrat rozkladu a otvorený obvod.
Pri testovaní obvodu: Pri testovaní tranzistora obvodu sa v skutočnosti dosiahne testovaním dopredu a spätnej odporu križovatky PN, aby sa určilo, či je tranzistor poškodený. Odpor vetvy je väčší ako vpred odpor PN križovatky. Za normálnych okolností by mal existovať významný rozdiel v nameranom odporu vpred a spätného odporu, inak sa poškodí križovatka PN. Ak je odpor vetvy menší ako predný odpor s križovatkou PN, by sa mala odpojiť vetva, inak nie je možné určiť kvalitu tranzistora.
3. Detekcia trojfázového usmerňovacieho mostíka
Ako príklad vezmem modul Semikron usmerňovač, ako je to znázornené na pripojenom obrázku. Nastavte digitálny multimeter do režimu testovacieho režimu diód, pripojte čiernu sondu k COM a červenej sonde k V co a pomocou červených a čiernych sond na meranie charakteristík dopredu a spätnej diódy medzi fázami 3, 4 a 5 a stĺpmi 2 a 1, respektíve, aby skontrolovali a určili, či je rektifikovaný most neporušený. Čím väčší je rozdiel v nameraných pozitívnych a negatívnych charakteristikách, tým lepšie; Ak sú smery dopredu a spätného smerovania nulové, naznačuje to, že detegovaná fáza bola rozdelená a skratka; Ak sú smery dopredu aj spätné smery nekonečné, naznačuje to, že detegovaná fáza bola odpojená. Ak je poškodená jedna fáza usmerňovacieho mostíka, mala by sa vymeniť.
4. Detekcia modulu IgBT invertora
Nastavte digitálny multimeter na režim testovania diód a otestujte charakteristiky diódy dopredu a spätnej diódy medzi modulmi IGBT C1. E1 a C2. E2, ako aj medzi bránou G a E1, E2, aby sa určilo, či je modul IGBT neporušený.
