Ako použiť multimeter na detekciu kvality trubíc v teréne?
V dôsledku prítomnosti tlmenej diódy medzi pólmi DS bežne používaných MOSFET sa môže výkonnosť MOSFET určiť použitím úrovne diódy digitálneho multimetra na detekciu poklesu diódového napätia medzi stĺpmi DS. Podrobná metóda detekcie je nasledovná.
Otočte spínač prevodového stupňa digitálneho multimetra do režimu diódy, pripojte červenú sondu k pólu S a čiernej sonde k pólu D. V tejto dobe sa obrazovka multimetra zobrazí hodnota poklesu napätia medzi pólmi DS. Hodnota poklesu napätia vysoko výkonných tranzistorov poľa je zvyčajne medzi 0. 4 a 0. 8v (väčšinou okolo 0. 6v); Medzi čiernou sondou by nemalo byť pokles napätia pripojeného k pólu S, červenou sondou pripojenou k pólu D a gól G a ďalšie kolíky (napríklad v N-kanálovom politickom tranzistore, mal by mať hodnota kvapky napätia, keď je červená sonda pripojená k pólu D a čierna sonda S sonda S sonda S-S-Sc-pólom. Naopak, naznačuje, že tranzistor v teréne bol poškodený.
Tranzistory v teréne sú zvyčajne poškodené rozpadom a v tomto prípade sú kolíky zvyčajne v skratovom stave. Preto by hodnota poklesu napätia medzi kolíkmi mala byť tiež ov. Po každom meraní tranzistora MOS poľa-efektu sa na kondenzátore GS Junction nabíja malé množstvo náboja, čím sa vytvorí napätie UGS. Pri opätovnom meraní sa sonda nemusí pohybovať (ak používa digitálny multimeter, chyba merania bude veľká). V tejto dobe krátko skratene skratu GS terminály.
Poškodenie tranzistorov v teréne je zvyčajne spôsobené rozpadom a skratom. V tomto okamihu, merania s multimetrom, sú kolíky zvyčajne prepojené. Po poškodení tranzistora v teréne, vo všeobecnosti nedochádza k zjavnému poškodeniu vzhľadu. Pre prísne nadprúdové tranzistory efektu poľa môže explodovať.
