+86-18822802390

Princíp činnosti a rozsah použitia mikroskopu EMMI/OBIRCH pri slabom osvetlení

Aug 03, 2023

Princíp činnosti a rozsah použitia mikroskopu EMMI/OBIRCH pri slabom osvetlení

 

Funkcia zmeny odporu indukovaného lúčom (OBIRCH) je bežne integrovaná s mikroskopom pri slabom osvetlení (EMMI) v detekčnom systéme, ktorý je súhrnne známy ako PEM (Photo Emission Microscope). Tieto dva sa navzájom dopĺňajú a dokážu si efektívne poradiť s veľkou väčšinou režimov zlyhania.


EMMI

Emisný mikroskop (EMMI) (rozsah vlnových dĺžok: 400nm až 1100nm) je nástroj používaný na detekciu a lokalizáciu chybných bodov a na vyhľadávanie jasných a horúcich bodov. Detegovaním fotónov excitovaných väzbou elektrónových dier a tepelnými nosičmi. V komponentoch IC EHP (Electron Hole Pairs) rozpoznávanie vyžaruje fotóny. Napríklad, keď sa na pn prechod použije predpätie, elektróny z n sa ľahko difundujú do p a diery z p sa tiež ľahko difundujú do n a potom sa vykoná EHP rekombinácia s dierami na konci p ( alebo elektróny na konci n).


Aplikácia:

Únik spôsobený detekciou rôznych defektov komponentov, ako sú defekty oxidu hradla, zlyhanie elektrostatického výboja, blokovanie a netesnosť pri overovaní obvodu, úniky spojov, predpätie a tranzistory pracujúce v oblasti nasýtenia, môže byť lokalizované pomocou EMMI, Detekcia zlých miest alebo oblasti úniku v oblasti poľa čipov na snímanie obrazu CMOS a obrazoviek z flexibilných tekutých kryštálov LED a zisťujú nerovnomerné bočné rozloženie prúdu a úniky čipových tranzistorov typu LED.


Aplikácia:

1. Skontrolujte zapojenie obalu čipu a vnútorný obvod čipu na skrat.


2. Skrat a zvod tranzistorov a diód.


3. Poruchy a skraty kovových obvodov v TFT LCD paneli a PCB/PCBA.


4. Niektoré chybné komponenty na PCB/PCBA.


5. Únik dielektrickej vrstvy.


6. Efekt blokovania ESD.


7. Hĺbkový odhad bodov zlyhania v 3D balení (Stacked Die).


8. Polohovanie a detekcia neotvorených bodov zlyhania v čipoch (rozlíšenie balenia v matrici)


9. Analýza problému skratov s nízkou impedanciou ("10ohm") sa bežne používa na analýzu testovania niektorých neotvorených vzoriek, ako aj na analýzu miesta zlyhania kovových obvodov a komponentov na veľkých doskách plošných spojov. Kovová vrstva blokujúca OBIRCH a INGAAS nedokáže odhaliť úniky, skraty a pomocou nej budú analyzované aj iné situácie.

Zistené hlavné body:

Porucha, ktorá môže spôsobiť svetlé škvrny - Netesnosť križovatky; Kontaktné vlasy

 

4 Microscope Camera

 

 

 

Zaslať požiadavku