Aplikácia mikroskopov v LED, strategicky sa rozvíjajúcom priemysle
LED (Light Emitting Diode, skrátene LED) je skratka pre Light Emitting Diode. Od druhej polovice roku 2009 zaznamenal trh LED veľký skok. Očakáva sa, že ako rýchlo rastúce odvetvie, ktoré sa rozvíja, sa očakáva, že do roku 2015 rozsah odvetvia LED presiahne 500 miliárd juanov, vrátane 160 miliárd juanov pre priemysel všeobecného osvetlenia, 120 miliárd juanov pre veľké-veľké podsvietenie LCD televízorov, 20 miliárd juanov pre automobilový priemysel osvetlenia, 100 miliárd juanov pre priemysel všeobecného osvetlenia a 160 miliárd juanov krajina, displej a iné priemyselné odvetvia.
Priemyselný reťazec LED možno zhruba rozdeliť na tri časti, a to rast substrátu pred rastom, výroba epitaxiálnych plátkov, balenie čipov v strede prúdu a následné aplikačné produkty. V celom priemyselnom reťazci sú hlavnými časťami rast substrátu a výroba epitaxných plátkov, ktoré majú relatívne vysoký technologický obsah a predstavujú takmer 70 % hodnoty produkcie a zisku odvetvia.
Súčasný vývojový trend LED priemyslu je ovplyvnený medzinárodnými aj domácimi trhmi. Čínsky LED priemysel, poháňaný National Semiconductor Lighting Project, pôvodne vytvoril relatívne kompletný priemyselný reťazec, vrátane substrátových materiálov pred LED, výroby LED epitaxných doštičiek, prípravy LED čipov, balenia LED čipov a aplikácie LED produktov.
Ako je dobre známe, polovodičové svetelné-diódy majú výhody, ako je vysoká účinnosť konverzie a dlhá životnosť, a považujú sa za ďalšiu generáciu svetelných zdrojov, ktoré nahradia v súčasnosti používané tradičné svetelné zdroje. Na základe súčasného výkonu svetelných-diód však stále existuje veľa technických ťažkostí, ktoré je potrebné prekonať, aby sa dosiahol tento cieľ, a je potrebné zvýšiť výskumné úsilie v oblasti analýzy a charakterizácie materiálov, technológie analýzy zariadení a ďalších aspektov. Optické mikroskopy, rastrovacie elektrónové mikroskopy, röntgenové energetické spektrometre, hmotnostné spektrometre sekundárnych iónov a ďalšie zariadenia sa stali základnými analytickými nástrojmi pre zlyhanie zariadení a štrukturálnu analýzu, ako aj monitorovanie, zlepšovanie a zlepšovanie epitaxných procesov v štruktúre obalov zariadení s diódami emitujúcimi svetlo a štruktúre, zložení a podmienkach rozhrania čipov.
